製造商產品編號:
BSD214SN L6327
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
BSD214SN L6327-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
详细描述:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
庫存:
12829220
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BSD214SN L6327 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
-
系列
OptiMOS™
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.5A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 3.7µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
0.8 nC @ 5 V
Vgs （最大值）
±12V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
143 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
500mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PG-SOT363-PO
包裝 / 外殼
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
BSD214SNH6327XTSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
5980
部件號碼
BSD214SNH6327XTSA1-DG
單位價格
0.07
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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